Оперативная память RAM DDR3-1600 4GB PC3-12800 Kingston ValueRAM bulk (KVR16N11S8/4-SPBK)

<div>Общие характеристики</div> <div>Тип памяти<span class="Apple-tab-span" style="white-space:pre"> </span>DDR3</div> <div>Форм-фактор<span class="Apple-tab-span" style="white-space:pre"> </span>DIMM 240-контактный</div> <div>Тактовая частота<span class="Apple-tab-span" style="white-space:pre"> </span>1600 МГц</div> <div>Пропускная способность<span class="Apple-tab-span" style="white-space:pre"> </span>12800 Мб/с</div> <div>Объем<span class="Apple-tab-span" style="white-space:pre"> </span>1 модуль 4 Гб</div> <div>Поддержка ECC<span class="Apple-tab-span" style="white-space:pre"> </span>нет</div> <div>Буферизованная (Registered)<span class="Apple-tab-span" style="white-space:pre"> </span>нет</div> <div>Низкопрофильная (Low Profile)<span class="Apple-tab-span" style="white-space:pre"> </span>нет</div> <div>Тайминги</div> <div>CAS Latency (CL)<span class="Apple-tab-span" style="white-space:pre"> </span>11</div> <div>RAS to CAS Delay (tRCD)<span class="Apple-tab-span" style="white-space:pre"> </span>11</div> <div>Row Precharge Delay (tRP)<span class="Apple-tab-span" style="white-space:pre"> </span>11</div> <div>Дополнительно</div> <div>Количество чипов каждого модуля<span class="Apple-tab-span" style="white-space:pre"> </span>8, односторонняя упаковка</div> <div>Напряжение питания<span class="Apple-tab-span" style="white-space:pre"> </span>1.5 В</div> <p>Количество ранков<span class="Apple-tab-span" style="white-space: pre;"> </span>1&nbsp;</p>