Модули оперативной памяти Samsung

Производитель Samsung Модель DDR4 4GB 2133 MHz Артикул M378A5143EB1-CPB Тип памяти DDR 4 Объем памяти 4 GB Количество модулей в наборе 1 Стандарты памяти PC4-17000 Частота памяти 2133 MHz Тайминги CL15 Напряжение 1.2 V Форм-фактор памяти 288-pin DIMM Проверка и коррекция ошибок (ECC) non-ECC Буферизация unbuffered Охлаждение нет

* Тип памяти: SODIMM DDR4
- Объем памяти: 4 ГБ
- Количество модулей в наборе: 1
- Частота памяти: 3200 МГц

Производитель: Samsung Тайминги: CL17 Стандарт памяти: PC4-19200 Частота памяти: 2400 МГц Тип оперативной памяти: SODIMM DDR4 Объем одного модуля (GB): 4 Количество модулей в комплекте: 1 Система охлаждения: нет Номинальное напряжение: 1.2В

Назначение: Память для ноутбуков Объем, ГБ: 8 Количество планок в комплекте: 1 Тип: DDR5 Эффективная частота, МГц: 4800

Производитель Samsung Тип памяти DDR 4 Объем памяти 8 GB Количество модулей в наборе 1 Частота памяти 3200 MHz

Производитель Samsung Тип памяти DDR 4 Объем памяти 16 GB Количество модулей в наборе 1 Частота памяти 3200 MHz

Форм-фактор та тип пам'яті: DIMM DDR5 Об'єм пам'яті: 16 ГБ Кількість модулів в комплекті: 1 × 16 ГБ Тактова частота: 5600 МГц

Назначение: Память для настольных компьютеров Объем, ГБ: 32 Количество планок в комплекте: 1 Тип: DDR4 Эффективная частота, МГц: 3200 Штатные тайминги: CL22 Рабочее напряжение, В: 1,2 Радиаторы: нет Поддержка XMP: нет

Объем памяти 8 GB Тип памяти DDR 3 Частота шины 1600 MHz Пропускная способность шины PC-12800 Латентность (тайминги) CL11 Номинальное напряжение 1.5V Серия Original Кол-во модулей в комплекте (Kit: 1x8GB) Охлаждение нет