Модули оперативной памяти GSkill Объем памяти 8 ГБ

Тип памяти:DDR 4 Объем памяти:8 GB Количество модулей в наборе:1 Частота памяти:3000 MHz Форм-фактор памяти:288-pin DIMM

* Тип памяти: SODIMM DDR4
- Объем памяти: 8 ГБ
- Количество модулей в наборе: 1
- Частота памяти: 3200 МГц

* Тип памяти: DDR4 SO-DIM
- Объем памяти: 8GB
- Количество модулей в наборе: 1
- Стандарты памяти: PC4-19200
- Частота памяти: 2400 МГц

Форм-фактор та тип пам'яті: DIMM DDR4 Об'єм пам'яті: 8 ГБ Кількість модулів в комплекті: 2 × 4 ГБ Тактова частота: 3200 МГц CAS-затримка: CL16 Робоча напруга: 1.35 В

* Тип памяти: DDR4
- Объем памяти: 8 ГБ
- Количество модулей в наборе: 1
- Частота памяти: 3200 МГц

Форм-фактор и тип памяти: DIMM DDR4 Объем памяти: 8 ГБ Количество модулей в комплекте: 2×4 ГБ Тактовая частота: 2666 МГц Low Profile: нет Подсветка: отсутствует Радиатор: отсутствует

1600 MHz, PC3-12800, CL11, SQ Series, 1 планка

G.Skill Original 8192Mb DDR3 1600Mhz (F3-1600C11S-8GNT) / Частота: 1600MHz / Объём памяти: 8192 MB / Тип памяти: DDR3

* Тип памяти: DDR4
- Объем памяти: 8 ГБ
- Количество модулей в наборе: 1
- Частота памяти: 2666 МГц

* Тип памяти: DDR4
- Объем памяти: 8 ГБ
- Количество модулей в наборе: 1
- Частота памяти: 2800 МГц

Тип памяти: DDR4 Форм-фактор: DIMM 288-контактный Тактовая частота: 2400 МГц Пропускная способность: 19200 Мб/с Объем: 1 модуль 8 Гб Поддержка ECC: нет Буферизованная (Registered): нет Низкопрофильная (Low Profile): нет Тайминги CAS Latency (CL): 15 RAS to CAS Delay (tRCD): 15 Row Precharge Delay (tRP): 15 Activate to Precharge Delay (tRAS): 35 Дополнительно Напряжение питания: 1.2 В